返回
                   
單/多晶金剛石熱沉片
用途:

應用於積體電路熱管理、超精密加工、光學窗口、量子領域等。

  • 产品概述
  • 應用領域技術方案性能提升效果實現形式
    功率半導體多晶金剛石散熱基板熱阻降低60%,功率密度提升至>500W/cm²直接鍵合晶片(DBC)
    高功率LED金剛石熱傳導板亮度提升30%,色溫偏移<100K,壽命延長2倍3-5μm CVD金剛石薄膜
    鐳射二極體金剛石熱沉片輸出功率提高50%,波長穩     定性±0.1nm鐳射焊接封裝
    MEMS系統集成金剛石散熱層器件性能提升40%,工作頻率提高3倍納米晶金剛石塗層
    半導體雷射器銅熱沉+金剛石過渡層熱阻0.5K·mm²/W,支持>100W/mm²功率密度化學氣相沉積(CVD)複合結構
    性能指標材料類型參數範圍單位
    熱導率(Thermal Conductivity)多晶金剛石(Polycrystalline)600 ~ 1500W/(m·K)
    單晶金剛石(Single Crystal)1500 ~ 2300W/(m·K)
    熱膨脹係數(Thermal Expansion)各向同性0.8 ~ 1.2×10-6/K
    技術參數規格指標
    熱導率≥2000 W/(m·K)
    晶體取向(100)晶面
    外形尺寸60×60 mm²
    厚度範圍定制化 (典型值100-500μm)
    應用領域積體電路熱管理、超精密加工、光學窗口、量子技術